第九百七十六章 ：那就分担点压力好了！(2/5)

黄仁勋望向台上虚无坐席的报告厅，脸上带着笑容。“尊敬的各位来宾，我非常荣幸能再次站在这里。首先，我要感谢IEEE固态电路学为我们提供了这个举办活动的场所”“在开始深入讨论之前，我想先强调一点：英伟达位于计算机图形学、模拟和人工智能的交汇点上，这构成了我们公司的灵魂.”“近二十年来，我们一直致力于加速计算的研究。比如CUDA技术增强了CPU的功能，将那些特殊处理器能更高效完成的任务卸载并加速。”“.本次我们推出的全新BlackwellUltraAI芯片，采用HBM4记忆芯片，台积电3纳米顶尖工艺制造，是新一代的AI芯片与超级计算平台的重点核心。”“从名字上就可以看出来，它是专门为AI与超级计算平台打造的一枚芯片。”“而从性能上，BlackwellUltra也完全足够担当起这份名誉！”“它可以为大语言模型（LLM）推理负载在同级别工艺芯片对比下，提供至少30倍的性能提升，并将成本和能耗降低25倍。”“简单的来说，如果你购买它，那么云端处理数据上，你每投入1米元，你就能获得高达60倍的性能提升。”“加速100倍，而功率仅增加3倍，成本仅上升1.5倍。节省的费用是实实在在的！”“毫不夸张的说，全新BlackwellUltraAI芯片，将是全球最强大的芯片！”当演讲到这里的时候，台下就已经骚动起来了。全新的BlackwellUltraAI芯片，专门为AI与超级计算平台打造，可以提供高达的30倍的性能提升，并且将成本和能耗在原有的基础上降低整整25倍！这样的芯片，如果性能真的像这位英伟达的总裁所说的一样，那它的确是一枚超级芯片！众所周知，尽管随着技术的进一步提升，原本因量子遂穿效应而限制的7纳米工艺如今虽然已不再是限制硅基芯片的门槛。但5纳米的芯片制备工艺依旧是大部分代工厂的工艺极限，而5纳米之下的3芯片，仅有少部分的厂商，比如台积电、三星等少数顶尖晶圆代工厂能够生产。尤其是到了3纳米，2纳米进程后，硅基芯片面临的问题众多。无论是材料本身的限制，还是量子遂穿效应对电子的影响越来越大，都是困扰硅基芯片性能高速发展的再想在芯片制程上下功夫提升芯片的性能已经很困难。比如尽管台积电在3纳米